1. 什么是肖特基二极管？

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称 SBD），全称肖特基势垒二极管。与传统的 PN 结二极管不同，它采用金属与半导体接触形成的“金属-半导体结”。

这种独特的结构赋予了它两大核心优势：极低的正向导通压降和极快的开关速度。因此，肖特基二极管被广泛应用于开关电源、高频整流、续流保护以及防反接等电路中，是现代高效能电子设备不可或缺的元器件。

2. 核心优势与特点

超低正向压降：肖特基二极管的导通压降通常仅为 0.15V 到 0.45V（普通硅二极管约为 0.7V）。这意味着在同等电流下，它的功耗更低，能显著提升电源转换效率并减少发热。

极速反向恢复：由于它是多数载流子导电器件，不存在少数载流子的存储效应，其反向恢复时间极短（可达纳秒级）。这使其非常适合高频开关电路，能有效降低开关损耗和电磁干扰。

高频特性优异：极小的结电容和快速的响应速度，使其在射频检测和高速逻辑电路中表现卓越。

3. 产品选型与应用指南

在选型时，工程师需要根据具体的电路环境权衡电压、电流与封装：

硅基肖特基二极管

特点：技术成熟，成本效益高。

适用场景：适用于低压、大电流的高频整流。

典型应用：电脑主板、电源适配器的次级整流，DC-DC 转换器中的续流二极管，以及电池供电设备的防反接保护。

选型注意：常规硅基肖特基的反向耐压通常较低（一般在 200V 以下），不适合高压电路。

碳化硅肖特基二极管

特点：耐高压、耐高温，且反向漏电流极小。

适用场景：适用于对效率和功率密度要求极高的中高压领域。

典型应用：新能源汽车车载充电机、光伏逆变器、PFC（功率因数校正）电路以及服务器电源。

选型注意：虽然成本相对较高，但在高压高频场景下，其系统级的散热和效率优势非常明显。

4. 关键参数解读

为了确保电路的可靠性，请关注以下核心参数：

正向电流 (IF)：二极管长期工作时允许通过的最大平均电流。选型时需预留足够的余量，以应对电路的峰值负载。

反向耐压 (VR)：二极管能够承受的最大反向电压。工作电压绝对不能超过此额定值，否则会导致器件击穿损坏。

正向压降 (VF)：在额定电流下，二极管两端的电压降。VF 越低，器件的导通损耗越小，效率越高。

反向漏电流 (IR)：在反向偏置时流过的微小电流。需注意，肖特基二极管的漏电流通常比普通二极管大，且会随温度升高而明显增加，在高温环境下设计时需重点考量。

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